:: 概要
随着信息通信市场的膨胀，可电压驱动及要求最小贴装面积的SMD(表面贴装元件Surface Mount Device)型MOS元件的需求迅速扩大。随着半导体工艺技术的迅猛发展和轻、薄、短、小型元件需求的增加，可极大提高电流效率的TRENCH GATE型MOS(T-MOS)元件的结构成为通用结构，目前需求激增的100V以下级的元件即为这种结构。

:: 研究开发目标
研究所的开发方向是，根据应用系统提供最佳的D-MOS(Double Diffused MOS)和 T-MOS(Trench Gate MOS)。因此，为提供能够极大提高应用系统效率的解决方案，正在同时研究应用技术和元件技术。

对于现已开发结束的DMOS元件，将于2003年推出可应用于（集成防错误操作附加电路的）汽车引擎控制的元件。对于T-MOS元件， KEC将把该工艺和设计技术融合到一起，在2003年之前提供信息通信系统的最佳解决方案。